GOODRAM IRDM Gen.3, M.2 - 1TB
SSD s 3D TLC NAND flash, kapacita 1 TB, formát M.2 2280, rozhraní PCIe Gen 3.0 x4, rychlost čtení/zápisu až 3200/3000 MB/s, rychlost náhodného (4K) čtení/zápisu až 250 000/500 000 IOPS, životnost 600 TBW, vysoká odolnost proti nárazům a otřesům.
V nabídce také
Rychlá navigace
Popis produktu
GOODRAM IRDM Gen.3
Získejte výkon, který několikanásobně překonává rozhraní SATA v kompaktním formátu s SSD IRDM 3. generace společnosti GOODRAM, vybaveným 8-kanálovým ovladačem Phison E12 s DRAM bufferem.
Přednosti IRDM Gen.3
- Kvalita produktů GOODRAM
- Rozhraní PCIe Gen 3.0 x4
- Rychlost čtení/zápisu až 3200/3000 MB/s
- Formát M.2 2280
- Ovladač Phison E12
Flexibilní formát
IRDM Gen.3 je dostupný v M.2 2280 formátu s PCIe rozhraním. Může být zapojen do nových základních desek pro stolní počítače a notebooky s kompatibilním M.2 portem, který podporuje NVMe standard.
Klíčové vlastnosti
Jedná se o vysoce kvalitní SSD využívající 3D TLC NAND flash paměť. Poskytuje kapacitu 1 TB ve formátu M.2 2280. Pro připojení do zařízení využívá rozhraní PCIe Gen 3.0 x4. Nabízí rychlost čtení/zápisu až 3200/3000 MB/s a náhodného (4K) čtení/zápisu 250 000/500 000 IOPS. Má životnost 600 TBW. Disk má vysokou odolnost proti nárazům a otřesům.
Technické parametry
Životnost (TBW): 600
MTTF nebo MTBF (milionu hodin): 1,8
Paměť SSD disku: 3D TLC
Určeno pro: Notebook, PC
Parametry
Náhodné čtení IOPS: 250 000
Náhodný zápis IOPS: 500 000
MTTF nebo MTBF (milionu hodin): 1,8
Životnost (TBW): 600
Určeno pro: Notebook, PC
Technologie
Paměť SSD disku: 3D TLC
Další informace
Výrobce: GOODRAM
Kód výrobce: IR-SSDPR-P34B-01T-80
EAN: 5908267960141
Stránky výrobce: goodram.com
V nabídce od: 10. 6. 2021
Záruka: 3 roky (u CZC.cz)
Spolehlivost: 100 %